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参数目录49969
> SI2304DS,215 MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23
型号:
SI2304DS,215
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI2304DS,215 PDF
标准包装
1
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
117 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
4.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
195pF @ 10V
功率 - 最大
830mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
TO-236AB
包装
剪切带 (CT)
其它名称
568-5957-1
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